1、高壓試驗大廳性能指標：
屏蔽指標：0.015～1.6MHz≥60～90dB
按測試產(chǎn)品的場(chǎng)地要求滿(mǎn)足GB/T30842-2014標準或按用戶(hù)特殊需求
混響時(shí)間： t<5s (500 Hz時(shí))
2、高壓試驗大廳主要用途：
適用于電纜、變壓器、互感器、高壓開(kāi)關(guān)以及電纜、電纜附件等各種電壓等級（110KV、220KV、500KV、1000KV）局部放電試驗或沖擊試驗。
3、高壓試驗大廳結構組成：
1）屏蔽體
具有自主知識產(chǎn)權的波紋板側壓式結構或模塊平板側壓式結構，側壓用導電襯壓接密封形成的屏蔽五面殼體；熱鍍鋼板網(wǎng)或鋼板焊接而成的屏蔽底；被測物通行的屏蔽大門(mén)；人員通行的屏蔽小門(mén)；通風(fēng)波導窗、濾波器及各類(lèi)氣液管接入處理
屏蔽大門(mén)分為平移和提升兩大類(lèi)，采用平面壓接屏蔽方式可根據使用要求定制大型尺寸的屏蔽門(mén)，克服了傳統屏蔽結構因尺寸精度要求高而只能用于小型尺寸的門(mén)的缺點(diǎn)，屏蔽性能穩定，外形美觀(guān)，操作方便可靠，使用壽命長(cháng)，維修率低。
2）由試驗大廳的特殊性須配備控制室，用以放置各類(lèi)試驗控制設備及試驗人員工作空間。要考慮控制室內的設備及人員的安全，因此面向大廳內部配備觀(guān)察窗用以觀(guān)察大廳內的試驗狀態(tài)，并可根據客戶(hù)要求對控制室進(jìn)行空調屏蔽處理及室內裝修等。
3）吸音材料：結合項目的具體需求可配備吸音材料滿(mǎn)足大廳的混響要求。
4、高壓試驗大廳產(chǎn)品規格：
根據用戶(hù)要求定制
屏蔽機房性能指標
國標按：GB/T12190-2006《電磁屏蔽室屏蔽效能測量方法》執行
國標C級屏蔽性能參數如下：
磁場(chǎng)：10KHz≥70dB
150KHz≥95dB
電場(chǎng)：200KHz-50MHz≥100dB
平面波：50MHz-1GHz≥100dB
微波：1GHz-10 GHz≥100dB
國標B級屏蔽性能參數如下：
磁場(chǎng)：14KHz≥40dB
100KHz≥70dB
平面波：30MHz-1GHz≥80dB
微波：1GHz-6GHz≥80dB
軍標按：GJB151B-2013 《軍用設備和分系統電磁發(fā)射和敏感度要求與測量》執行
軍標C級屏蔽性能參數如下：
磁場(chǎng)：10KHz-100KHz 60-80dB
100KHz-1MHz 80-100dB
1MHz-20MHz 100dB
電場(chǎng)：20MHz-1GHz 100dB
微波：1GHz-18GHz 100dB
軍標B級屏蔽性能參數如下：
磁場(chǎng)：10KHz-100KHz 15-37dB
100KHz-3MHz 37-70dB
3MHz-20MHz 70dB
電場(chǎng)：20MHz-1GHz 70dB
微波：1GHz-18GHz 60-70dB
軍標D級屏蔽性能參數如下：
磁場(chǎng)：10KHz-100KHz 87-108dB
100KHz-300KHz 108-120dB
300KHz-20MHz 120dB
電場(chǎng)：20MHz-1GHz 100dB
微波：1GHz-10GHz 120dB
10GHz-18GHz 110dB
18GHz-40GHz 120dB
